半导体材料镀膜

本公司可提供多种镀膜方式：MBE（分子束外延）/ALD（原子层沉积）/Magnetron sputtering（磁控溅射镀膜）等。

MBE（分子束外延）：外延温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于准确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。可制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。

ALD（原子层沉积）：是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术，所制备薄膜具有优良的三维共形性、大面积的均匀性等特点，适应于复杂高深宽比衬底表面沉积制膜，同时还能保障正确的亚单层膜厚控制。

Magnetron sputtering（磁控溅射镀膜）：利用Ar离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积，而不论其熔化温度如何；可以根据基材和涂层的要求缩放光源并将其放置在腔室中的任何位置；可以沉积合金和化合物的薄膜，同时保持与原始材料相似的组成。